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2N7000 - Transistor Mosfet - TD Electrónica

2N7000 – Transistor Mosfet

$1.725

Especificaciones del Encapsulado:

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 83 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 60 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): +-18 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.35 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

Disponibilidad: Hay existencias

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SKU: M0010 Categorías: ,
Pregunta sobre este producto

El 2N7000 – Transistor Mosfet componente electrónico que controla corrientes muy elevadas y su función es amplificar o interrumpir. Los Mosfet comunes en el mercado, contienen tienen tres terminales de salida que se llaman: Drain, Source y Gate por sus siglas en ingles. Voltge Drain-Source 60V, Currente Drain 0.35A

Enlaces:

DATASHEET

IRFZ44N Manual

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