IRF510N Transistor Mosfet

$2.500

Especificaciones del Encapsulado:

Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
Disipación total del dispositivo (Pd): 20 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Corriente continua de drenaje (Id): 5.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.54 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220AB

Disponibilidad: Hay existencias

SKU: M0001 Categorías: ,
Pregunta sobre este producto

El Transistor Mosfet Canal N componente electrónico que controla corrientes muy elevadas y su función es amplificar o interrumpir. Los Mosfet comunes en el mercado, contienen tienen tres terminales de salida que se llaman: Drain, Source y Gate por sus siglas en ingles.

Mosfet Canal N y P
Mosfet Canal N y P

 

Enlaces:

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IRF510 Manual

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Mosfet 5.6A-100VIRF510N Transistor Mosfet
$2.500

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