2N5551 Transistor NPN

Características:

Transistor Bipolar (BJT) NPN de alto voltaje
Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general
IC: 600 mA max.
PD: 625 mW max.
VCEO: 160 V, VCBO: 180 V, VEBO: 6 V, max.
hFE: 80 min. (@ IC=1 mA, VCE=5 V)
fT: 100 MHz mínimo
VCE(sat): 0.2 V max. (@ IC = 50 mA)
Encapsulado: TO-92
Complementarios: 2N5400

Disponibilidad: Hay existencias

SKU: T0092 Categorías: Elementos Discretos, Transistores BJT

Pregunta sobre este producto

Descripción
Datasheet

2N5551 Transistor NPN es un transistor de tipo unión bipolar (BJT) que tiene una estructura negativo-positivo-negativo (NPN). Se utiliza comúnmente en circuitos electrónicos para amplificación y conmutación de señales. El 2N5551 Transistor 180V @ 600 mA, es un transistor Bipolar con encapsulado TO-92. Este transistor se utiliza para la conmutación de baja velocidad y amplificación.