IRF510N Transistor Mosfet

Especificaciones del Encapsulado:

Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
Disipación total del dispositivo (Pd): 20 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Corriente continua de drenaje (Id): 5.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.54 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220AB