IRF630- Tranmsistor Mosfet

Especificaciones del Encapsulado:

Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
Disipación total del dispositivo (Pd): 100 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Corriente continua de drenaje (Id): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1500 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.4 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220