IRF9530 – Transistor Mosfet
$2.000
Especificaciones del Encapsulado:
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
Disipación total del dispositivo (Pd): 88 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Corriente continua de drenaje (Id): 12 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.3 Ohm
Empaquetado / Estuche:
4 disponibles
Descripción
El Transistor Mosfet componente electrónico que controla corrientes muy elevadas y su función es amplificar o interrumpir. Los Mosfet comunes en el mercado son los Canal N y Canal P, contienen tienen tres terminales de salida que se llaman: Drain, Source y Gate por sus siglas en ingles.
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