“IRFZ44N – Transistor Mosfet”

Especificaciones del Encapsulado:

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 83 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 55 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Corriente continua de drenaje (Id): 41 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.024 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220AB