MPSH10 Transistor NPN

Características:

Polaridad de transistor: NPN

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.31 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 135 °C

Producto de corriente — ganancia — ancho de banda (ft): 650 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.7 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 60

Empaquetado / Estuche: TO92