NTE129 Transistor PNP

Características:

Polaridad de transistor: PNP

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

Producto de corriente — ganancia — ancho de banda (ft): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 20 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 100

Empaquetado / Estuche: TO39