$1.500
Especificaciones del Encapsulado:
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 83 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 60 V
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): +-18 V
Corriente continua de drenaje (Id): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Disponibilidad: Hay existencias
El BS170 – Transistor Mosfet componente electrónico que controla corrientes muy elevadas y su función es amplificar o interrumpir. Los Mosfet comunes en el mercado, contienen tienen tres terminales de salida que se llaman: Drain, Source y Gate por sus siglas en ingles. Voltge Drain-Source 60V, Currente Drain 0.2A
Enlaces:
BS170 – Transistor MosfetDisponibilidad: Hay existencias
