IRF530N- Transistor Mosfet
$2.800
Especificaciones del Encapsulado:
Polaridad de transistor: N
Disipación total del dispositivo (Pd): 79 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Corriente continua de drenaje (Id): 17 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.11 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220AB
12 disponibles
Descripción
El Transistor Mosfet componente electrónico que controla corrientes muy elevadas y su función es amplificar o interrumpir. Los Mosfet comunes en el mercado, contienen tienen tres terminales de salida que se llaman: Drain, Source y Gate por sus siglas en ingles.
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