IRFBC40 – Transistor Mosfet

Especificaciones del Encapsulado:

Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Corriente continua de drenaje (Id): 6.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.2 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220AB