$2.000
Especificaciones del Encapsulado:
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Corriente continua de drenaje (Id): 6.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.2 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220AB
Disponibilidad: Solo quedan 2 disponibles
El Transistor Mosfet componente electrónico que controla corrientes muy elevadas y su función es amplificar o interrumpir. Los Mosfet comunes en el mercado son Canal N y Canal P, contienen tienen tres terminales de salida que se llaman: Drain, Source y Gate por sus siglas en ingles. .
Enlaces:
IRFBC40 – Transistor MosfetDisponibilidad: Solo quedan 2 disponibles
